bat365官网中报]美迪凯(688079)：杭州美迪凯光电科技股份有限公司20

　　bat365官网中报]美迪凯(688079)：杭州美迪凯光电科技股份有限公司2024年半年度报告一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

　　公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”。

　　五、 公司负责人葛文志、主管会计工作负责人华朝花及会计机构负责人（会计主管人员）周星星声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

　　本报告所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。

　　浙江美迪凯光学半导体有限公司（曾用名： 浙江嘉美光电科技有限公司），系公司一 级全资子公司

　　Charge-Coupled Device，即电荷耦合元 件，是一种用电荷量表示信号大小，用耦 合方式传输信号的探测元件

　　Complementary Metal Oxide Semiconductor， 即互补金属氧化物半导体，指制造大规模 集成电路芯片用的一种技术或用这种技术 制造出来的芯片

　　Augmented Reality，即增强现实，通过相 关设备，在现实世界中的对象和信息之上 叠加数字信息，进行展示和互动

　　Mixed Reality，即混合现实，该技术通过 相关设备，在现实场景呈现虚拟场景信息， 在现实世界、虚拟世界和用户之间搭起一 个交互反馈的信息回路，以增强用户体验 的真实感

　　Physical Vapor Deposition，即物理气相 沉积。指利用物理过程实现物质转移，将 原子或分子由源转移到基材表面上的过 程。物理气相沉积的基本方法包括真空蒸 发、溅射、离子镀等

　　Chemical Vapour Deposition，即化学气 相沉积。指化学气体或蒸汽在基材表面反 应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体 工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料 的技术

　　Total Thickness Variation，总厚度变化 量，指整个晶片的最高厚度和最低厚度之 间的差值

　　制造半导体晶体管或集成电路的衬底，也 叫基片，由于是晶体材料，其形状为圆形， 所以称为晶圆

　　Time of Flight，飞行时间测距法，即通 过给目标连续发送光脉冲，然后用传感器 接收从物体返回的光，通过探测光脉冲的 往返时间来得到目标物距离

　　Chemical Mechanical Polishing，化学机 械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技 术之一

　　1、报告期营业收入较上年同期增加 26.25%，主要是微纳电子、半导体封测逐步量产，带来营业收入增长。

　　2、报告期归属于上市公司股东的净利润较上年同期减少 1,954.4 万元，主要是报告期持续加大研发投入，以及固定资产折旧费用增加 2,047.53 万元、相关项目陆续量产，职工薪酬支出增加 2,033.84万元。

　　3、经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少40.22%，主要是公司销售规模增加以及产品结构发生变化，材料采购增加，购买商品、接受劳务支付的现金增加较多。

　　计入当期损益的政府补助，但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外

　　除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外，非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益

　　企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益

　　对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

　　公司主要从事精密光学、半导体声光学、半导体微纳电路、半导体封测、智慧终端的研发、制造和销售。

　　光学光电子是结合光学、电子、计算机等的科学技术，近十年来技术突破发展迅速。当今，光电科技已成为信息系统和网络系统中最引人注目的核心技术，光学光电子产业也因此获得了前所未有的广泛关注和大力发展。光学光电子技术是光学及电子信息技术的一个分支，是包含光学技术、微电子技术、材料技术、通信、计算机等多学科交叉产生的新技术。随着产品不断的推陈出新，其应用层面扩展至通讯、信息、生化、医疗、能源、民生等多个工业领域，光学光电子产业已成为备受瞩目的明星产业。未来，随着光电技术在通讯、网络、多媒体等领域扮演更加核心技术角色，光学光电子产业的发展水平将成为一个国家科技实力乃至综合实力的重要体现。

　　半导体行业是国家工业强盛的基石。它位于电子行业的中游， 通过集成电路板将半导体、被动元件以及模组器件连接起来，构成了智能手机等消费类电子产品的核心部件，承担信息的载体和传输功能。作为信息技术产业的核心，半导体行业是支撑经济社会发展和保障的战略性、基础性和先导性产业。半导体行业具有下游应用广泛、技术要求高、生产工序多、投资回报周期长、风险高等特点，全球半导体行业呈现出一定的周期性，其景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。为加快推进我国半导体产业发展，国家从财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法律法规和产业政策，为半导体产业的发展创造了良好的生态环境与重大机遇。

　　光学光电子和半导体行业发展面临机遇的同时，也面临挑战。随着 5G、 AI、物联网、自动驾驶、 AR/ VR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国光学光电子和半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球光学光电子和半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。

　　公司主要从事精密光学、半导体声光学、半导体微纳电路、半导体封测、智慧终端的研发、制造和销售。公司经过多年深耕，在该领域积累了丰富的经验，并拥有多项核心技术。

　　按照应用领域分类，公司主要有九大类产品和服务，包括半导体零部件及精密加工服务、生物识别零部件及精密加工服务、精密光学零部件、半导体声光学、半导体封测、微纳电路、微纳光学、AR/MR、智慧终端。公司产品和解决方案广泛应用于智能手机、安防监控、机器视觉、数码相机、投影仪、智能汽车、大健康、元宇宙等多个领域。 公司具备较强的实力，能够承接国际高端光学光电子产业链的业务。

　　安装在镜座上的光学滤 光片组件，起到色差补 正、还原图像真实色彩 的作用，应用于摄像头 模组

　　镜座上分别装有增透膜 滤光片及红外截止膜滤 光片，通过日夜时的切 换满足安防摄像机成像 对不同光线场景的需 求，应用于摄像头模组

　　利用人造水晶的双折射 特性及红外截止膜、增 透膜等消除成像时的摩 尔纹、色差补正、更好 地还原图像真实色彩， 应用于摄像头模组

　　通过光学薄膜加工工艺 对特定波段起到带通且 大角度偏移量小的特 性，实现在信号传递过 程中减少信号的损失和 杂讯的干扰。

　　通过光路层设计，结合半 导体制程技术和光学成膜 技术，在芯片上进行微纳 米级光学加工，目前主要 应用于新一代屏下光学指 纹识别解决方案。

　　通过声学层设计，结合半 导体制程技术，在芯片上 进行微纳米级整套声学层 加工，目前主要应用于新 一代3D指纹识别 解决方案。

　　结合半导体制程技术在芯 片上进行CFA、MLA等微 纳米级光学加工，目前主 要应用于图像传感器 （CIS）光学解决方案

　　通过光路层设计，结合半 导体制程技术和光学成膜 技术，在芯片上实现整套 光路层及光学矩阵的加 工，主要应用于环境光传 感器光学解决方案。

　　晶圆经过值球、减薄、切 割、超声焊接、覆膜、塑 封工艺等核心制程，产品 广泛应用于通讯系统设 备、移动终端设备的半导 体芯片中。

　　晶圆经过减薄、背金、正 面图形化、晶圆测试、划 片、上芯、铜片贴合、塑 封、切筋、测试等工艺流 程，产品广泛用于新能 源、储能、白色家电、快 消品等领域。

　　公司始终坚持以科技（技术）创新为核心的发展战略，既有结合市场、行业发展趋势的前瞻性研究，也有针对终端产品需求的新工艺、新技术应用型开发。针对产品涉及的关键技术，依托美迪凯企业研究院下各技术中心协同开发。同时，公司与产业链上下游领先企业形成了合作研发机制，使公司能够更好地贴近客户、市场需求。另外，公司与国内多家高校院所共建合作关系，汲取多方优势共同突破行业技术难点问题。

　　公司依据研发流程，由市场开发中心提出需求，设计技术中心主导进行工艺流程策划，由各个技术中心进行相应关键技术的技术攻关。为提升研发效率，采用多研发环节并行开发，各技术中心协同作业的研发方式。涉及半导体技术的开发，统一由公司半导体事业建设委员会整合相关资源实施bat365官网登录入口。取得的新产品、新技术、新工艺的知识产权由科技管理中心组织申报和管理。公司基于行业特征及自身经营特点，建立了较为完备的研发体系。

　　公司建立了供应商管理、采购管理及采购流程管理制度等一套严格、完整的采购管理流程，在运营管理中心下设采购部，主要负责供应商开发、管理以及材料、设备的采购。公司根据相关产品的行业特点，确定供应链管理环境下的采购模式，通过有效地计划、组织与控制采购管理活动，按需求计划实施采购工作，具体内容为：供应商的开发与评估、采购计划的制定、实施采购。

　　公司的产品具有定制化特点，公司采取“按订单”及“按客户需求计划”相结合确定生产计划的模式，实现高效率、低成本、高弹性的生产及交付。公司对小批量产品按照客户下达的订单组织生产；对需求量大且稳定的产品，结合客户提供的产品需求计划以及实际下达的订单，进行组织生产，公司会对一些常规的半成品进行预先库存，再根据正式订单进行后续生产、发货，提高生产效率，缩短交货时间。

　　公司主要通过直销模式，为客户提供各类精密光学、半导体声光学、半导体微纳电路、半导体封测、智慧终端等产品和服务。

　　公司主要的产品和服务存在定制化特点。公司成立以来坚持研发销售一体化，面向客户需求和下游市场趋势研发产品。公司客户在选择供应商时，需要对候选供应商进行较长周期的评估认证，并经过多轮的样品测试及现场稽核，全面考核候选供应商的产品质量、供货能力后，公司方能进入客户的《合格供应商名录》。

　　公司与长期合作的客户签订产品销售的框架协议，约定供货方式、结算方式、质量保证等条款；客户根据需求在实际采购时向公司发出订单，约定产品规格、数量、价格、交期等信息，供需双方根据框架协议及订单约定组织生产、发货、结算、回款。

　　公司建立了完整的技术创新体系，持续对各项核心技术进行更新迭代，旨在提升现有产品的技术水平和生产效率，同时不断开拓新领域的产品应用，与相关领域的领先企业共同成长。公司的核心技术具有平台特征，能够实现跨领域、多产品的广泛应用。为了支持技术研发和产品创新，公司设立了精密分析实验室，该实验室具备对物质成分、光学特性、表面形貌、内部结构以及电性等方面的全面分析能力，能够为各类新产品的研发提供精准的检测和分析服务。

　　经过多年的技术积累和创新，公司在精密光学、半导体声光学、半导体微纳电路、半导体封测、表面贴装（SMT）、微纳光学等多个领域都掌握了核心技术和自主知识产权。目前，这些核心技术在各类产品中得到了具体应用，并展现出了其技术特点和先进性。以下是各项核心技术在产品中的具体应用情况及技术来源的简要概述：

　　1.公司自主研发多线切割技术，可对水晶、石英、 蓝宝石、陶瓷、铌酸锂等材料进行高精度加工。 2.公司自主研发对各类材质基板进行高精度外形加 工，其中玻璃晶圆的通孔技术可实现在515*510mm 玻璃衬底上进行通孔加工，孔径深宽比40：1，最小 孔径5微米，位置度≤3微米。 3.公司自主研发各类材质晶圆衬底的研磨、抛光 （包含CMP）技术bat365官网登录入口，最大加工尺寸可到30英寸，厚 度公差、面型、粗糙度等指标具有较强的市场竞争 力。 4.公司自主研发，掌握了包括真空蒸发镀膜、溅射 镀膜的PVD工艺，以及PEALD的原子层沉积、工 艺，并完成各种光学膜系设计及生产工艺开发，能 够满足精密光学及生物识别零部件等产品对精密薄 膜的要求。同时公司自主设计，结合使用新型光学 材料，进行膜层加工，可使光学器件实现降低杂 光、消除鬼影、增透的效果或实现光学光电子元器 件薄型化、消除摩尔纹、高清晰成像效果。

　　各类影像光学 零部件、生物 识别零部件及 精密加工服 务、AR/MR光 学零部件精密 加工服务等

　　公司自主研发的半导体声光学相关工艺技术，通过 涂胶、光刻、显影、镀膜、Lift off、湿法蚀刻、 干法蚀刻、丝印、极化等工艺制程，直接在各类尺 寸的晶圆上叠加光学成像传输及声学传输所需的各 种介质薄膜、金属膜、有机薄膜（Color Filter 等）、微透镜阵列等整套光路层、声学层解决方 案。

　　公司自主研发在各类晶圆衬底上，通过涂胶、光 刻、显影、PVD（EB、IB、Sputter、Bias）、 PEALD、PECVD、HDPCVD、湿法蚀刻、干法蚀刻、 CMP、Trimming、TSV、TGV、炉管（栅氧/干氧/退火 /合金/P推阱/N推阱/D-Poly/U-Poly/TEOS工艺）、 快速退火等半导体制程，进行微纳电路加工。

　　通过晶圆减薄、背金、激光开槽、刀轮切割、芯片 贴合、引线键合、植球、倒装、覆膜（加真空印刷 或C Molding）、深硅刻蚀、激光诱导和分选测试等 工艺研究，成功开发了正面晶圆级封装（LGA、 WLCSP）、背面晶圆级封装（TSV、TGV）、芯片级封 装（DFN、QFN、SOT、IGBT、TO、PDFN、TOLL系 列）、Cu Clip封装等，不断提升半导体器件良好的 导电和散热性能、小型化、薄型化，能够做到真正 的无引线大电流、低功耗、高散热封装工艺。

　　通过锡膏印刷、SPI、元件贴装、真空回流焊、波峰 焊、AOI检测等工艺研究，成功开发了电路板表面贴 装技术（SMT）。

　　1、通过晶圆减薄、单面研抛、光学成膜、镭射切 割、性能测试等工艺研究，成功开发超构表面光学 器件加工技术，实现超构表面光学器件薄型化、小 型化、特定光学特性及高外观要求等特性；通过晶 圆表面PVD、涂胶、曝光、显影、刻蚀等半导体工 艺，进行超透镜（Meta Lens）加工； 2、采用灰度光刻技术完成3D 微透镜阵列母版制 作，结合晶圆级纳米压印工艺技术在基板表面实现 微结构加工，该产品结构具备高可靠性、高分辨 率、高生产率（PV≤0.3um（MLA），Ra ≤5nm）， 同时公司具有高矢高的微透镜阵列母板（透镜直径

　　100um）和低矢高的微透镜灰度光刻 母板的制造能力（微透镜矢高0.5um~40um）； 3、采用晶圆压纹封装工艺，并结合丝印键合工艺, 实现一种无基材晶圆级压印光学模组技术，其最小 尺寸可达1mm*1mm，PV≤1um。

　　公司致力于光学光电子、半导体声光学、半导体微纳电路、半导体封测行业细分领域的研究和开发。始终将技术创新放在企业发展的首位，紧盯行业发展趋势，围绕客户和市场需求，战略性聚焦关键核心技术攻关，推动新知识、新技术的深度连接和耦合发力，不断丰富技术和产品路线，致力为客户提供更优质、多类型、定制化的产品及解决方案。

　　报告期内，公司获得授权专利13项（其中发明专利2项），申请受理专利19项（其中发明专利9项）。截至报告期末，公司累计申请境内外专利317项，已经授权227项，其中有效专利207项，公司的专利涉及精密光学、半导体声光学、半导体封装、微纳光学、晶圆传感器封装等主要核心技术，并取得境内外商标6项。通过不断的技术研发和创新，以及专利和商标的取得，公司的综合实力得到了不断提升。

　　通过高精密研 磨、抛光技 术，结合单面 抛光工艺，实 现25寸超大尺 寸玻璃晶圆厚 度加工至0.2mm 的超薄化要 求。

　　采用PVD成膜 技术，结合黄 光、lift-off 等工艺，实现 膜层具有更稳 定的阻值，在 膜厚方向具有 良好的导电

　　性，使得芯片 叠层连接位置 导通性良好， 有效的解决了 压合工艺中芯 片连接位置阻 值变大的问 题。

　　对于功率器件 各叠层结构及 膜层材料的设 计，通过金属 膜层沉积工艺 的调整，达到 高精度膜厚及 均匀性需求， 实现功率器件 高品质、低能 耗的目标。

　　自主开发 Mosfet器件封 装技术，通过 引线键合、塑 封等工艺，实 现产品小型 化、薄型化、 低功耗等特 性，在保证产 品稳定性和可 靠性的同时降 低材料成本， 提升产品性 能。

　　采用真空镀膜 技术，通过膜 系设计及成膜 工艺，在光学 基板表面成 膜，使产品在 可见光波段范 围内，满足光 线一定入射角 度时特定反射 值的要求，为 智能穿戴产品 提供大视场 角、高分辨率 等硬件能力

　　通过镭射切 割、腐蚀等工 艺，结合超大 尺寸玻璃加工 平台的应用， 实现在大尺寸 超薄玻璃基板 上通孔加工， 通孔散差及位 置度精度达到 微米级的要 求。

　　研发灰度光刻 结合纳米压印 工艺，制作车 载HUD上的光 学匀光片，起 到匀光、整型 等特殊光学投 影效果。

　　产品采用高平 坦、低翘曲、 超薄铌酸锂晶 圆，通过单面 化学研抛工 艺、金属溅射 镀膜结合半导 体工艺及修频 工艺，实现晶 圆表面微电路 加工。

　　通过PVD成膜 技术，结合黄 光、Lift-off 工艺，自主开 发无机颜色膜 工艺代替传统 半导体彩胶工 艺，实现各通 道光透过率更 高、损耗小， 光选择性更

　　通过线切割、 研磨、精雕bat365官网登录入口、 抛光等工艺， 对LT\LN等材 质进行晶圆加 工，实现产品 的高外观、 TTV、翘曲等要 求。

　　自主开发化学 抛光工艺，使 晶圆表面SIO2 膜层平坦化， 提高产品频率 一致性，提升 产品良率和性 能。

　　通过黄光技术 开发改善胶 型，并优化各 通道膜系设计 和成膜技术， 使各通道膜层 单边拖尾＜ 1.5um，结合 Lift-off工 艺，突破涂胶 后高温镀膜和 长时间非球心 的多薄膜叠层 去胶的行业两 大难点，实现 晶圆表面无残 留。

　　研发在玻璃基 板或PC 基板表 面进行彩胶图 形化加工搭配 压印MLA 实现 自然光下 3D悬 浮效果。

　　研发采用点胶 工艺结合压印 冲胶进行单片 镜头晶圆制作 结合丝印工艺, 键合工艺将两 片光学透镜晶

　　圆进行叠合； 最后通过 Recon, 压印冲 胶工艺,将单颗 TSV sensor 进 行侧壁挡墙做 黑壁加工,完成 整个模组封 装。

　　采用灰度光刻 完成MLA透镜 阵列母版加工 而后进行工作 模具加工并进 行压印,用刀轮 切割工艺搭配 AOI完成从 切割为小片及 外观检验，最 终采用MLA光 检机台完成最 终产品光学性 能测试，达到H 方向大广角,光 场均匀效果。

　　采用新型散热 材料和晶圆衬 底，通过半导 体工艺、膜层 沉积工艺的设 计和优化，提 高射频滤波器Q 值，降低频率 温度系数，提 升产品散热性 能，实现射频 滤波器更好的 温度特性和更 高的能量传输 效率。

　　采用涂胶、曝 光、显影等黄 光工艺完成透 明石英双面图 形化硬掩膜 层，之后进行 湿法酸腐蚀工 艺形成凹穴； 在硬掩膜层方 面，自主开发

　　采用激光诱导 和蚀刻技术， 在玻璃基板上 进行高纵横比 微孔加工，使 微孔侧壁光 滑、无裂纹、 无碎屑、无应 力，可实现可 靠的金属化

　　2.5D/3D 晶圆级 封装、 芯片堆 叠、 MEMS传 感器和 半导体 器件的 3D集 成、射 频元件 和模 块、 CMOS 图 像传感 器 (CIS)、 汽车射 频和摄 像头模 块领域

　　研发心电检测 仪线路板印 刷、元件贴 装、回流固 化、波峰焊接 等工艺，实现 心电监测仪线 路板贴装后高 可靠性要求。

　　自主设计国内 第一款 100*300mm SOT23-32排引 线框架，通过 宽排框架粘 片、焊线、塑 封、切筋等工 艺，保证产品 可靠性MSL3及 高良率要求， 并能最大限度 提升产品性能 及降低生产成 本。

　　通过薄膜设计 及自主研发PVD 成膜技术，实 现薄膜无针 孔、图案清 晰、品质良率 高等特点。

　　通过自主开发 硅空腔刻蚀工 艺及其掩膜层 工艺，达到产 品设计的硅空 腔刻蚀深度及 刻蚀角度的目 标，实现BAW 滤波器信号高 质量传输性 能。

　　自主研发黄光 及镀膜工艺， 对硅晶圆和玻 璃晶圆进行多 通道成膜，实 现10um左右小 尺寸开窗填孔 成膜，提升产 品对高分辨率 的需求。

　　自主开发射频 芯片晶圆级倒 装封装技术， 通过植金球、 超声焊接、真 空印刷等工 艺，将芯片直 接与外部电路 连接，实现产 品小型化，低 功耗，高性能 等特点。

　　通过半导体制 程涂胶、曝 光、显影、镀 膜、湿法刻 蚀、ICP刻蚀、 IBE金属刻蚀、 无机物Lens等 工艺配合，实 现全套Micro LED的加工。